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商品参数:

  • 型号:RN1113CT
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:LJ
  • 封装:SOT-883/CST3/0402
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)20V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)50mA
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)47KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)300
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation0.05W/50mW
Description & ApplicationsSwitching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment and save assembly cost. • Complementary to RN2112CT, RN2113CT
描述与应用开关应用 逆变电路应用 接口电路的应用 驱动器电路应用 •将偏置电阻晶体管,减少了部件数量 减少零件数,使制造更加 紧凑的设备和节省组装成本。 •互补RN2112CT,RN2113CT
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RN1113CT
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