SI2305ADS-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -8V -5.4A 0.032ohm SOT-23 marking/标记 5AA|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

SI2305ADS-T1-GE3 P沟道MOS场效应管 -8V -5.4A 0.032ohm SOT-23 marking/标记 5AA

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型号：SI2305ADS-T1-GE3
厂家：VISHAY
批号：10+rohs 10+NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：5AA
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流IdDrain Current	-5.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.032Ω @-4.1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.45V-0.8V
耗散功率PdPower Dissipation	1.7W
Description & Applications	FEATURES • TrenchFET Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested
描述与应用	Power MOSFET • 100 % Rg Tested • 100 % UIS Tested

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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