| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
80~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.4~1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
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| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type. High Voltage Switching Applications. *High breakdown voltage : VCEO = 400 V. * Low collector-emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 20 mA, IB = 0.5 mA). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型。 高电压开关应用。 *高击穿电压：VCEO=400 V *低集电极 - 发射极饱和电压 ：VCE（星期六）= 0.4V（典型值）（IC= 20 mA时，IB=0.5毫安）。 |