| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
11V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
3.2GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
56~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
<500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features •High-Frequency Amplifier Transistor (11V, 50mA, 3.2GHz) •High transition frequency. (Typ. fT= 3.2GHz) •Small rbb’⋅Cc and high gain. (Typ. 4ps) •Small NF. |
| 描述与应用 |
特点 •高频晶体管放大器（11V，50mA时3.2GHz的） •高转换频率。 （典型值英尺=3.2GHz的） •小RBB'⋅CC和高增益。 （典型值4PS） •小NF。 |