请先登录
首页
购物车0
库存35750件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SSM5N16FE
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：12+ROHS 12+ROHS
  • 整包数量：4000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DS
  • 封装：SOT-553/ESV
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流IdDrain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance3Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications Analog-Switch Applications • Input impedance is high; driving current is extremely low. • Can be directly driven by a CMOS device even at low voltage due to low gate threshold voltage. • High-speed switching • Housed in an ultra-small package suitable for high density mounting
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 •输入阻抗高，驱动电流极低。 •可直接驱动一个CMOS设备，即使在低电压下，由于低 栅极阈值电压。 •高速开关 •坐落在一个超小型封装，适用于高密度安装
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SSM5N16FE
*主题：
详细内容：
*验证码：