| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
15V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
12V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
400mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
80~130mHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
300~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
15~30mV |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
100mW |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications. For Muting and Switching Applications. *Low collector saturation voltage: VCE (sat) (1) = 15 mV (typ.). *@IC = 10 mA/IB = 0.5 mA. * High collector current: IC = 400 mA (max). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。 音频放大器应用的目的。 对于静音和开关应用。 *低集电极饱和电压VCE（SAT）（1）=15毫伏（典型值）。 *@ IC= 10毫安/ IB=0.5毫安。 *高集电极电流IC= 400 mA（最大）。 |