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商品参数:

  • 型号:SI1413EDH
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:BAD
  • 封装:SOT-363/SC70-6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.9A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.095Ω @-2.9A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45V
耗散功率PdPower Dissipation1.56W
Description & ApplicationsTrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated ESD Protected: 3000 V Thermally Enhanced SC-70 Package
描述与应用功率MOSFET:1.8 V额定 ESD保护:3000 V 耐热增强型SC-70封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI1413EDH
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