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商品参数:

  • 型号:1SS417CT
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:12+ROHS 12+ROHS
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:X
  • 封装:SOD-923/CST2
  • 技术文档:下载

反向电压VrReverse Voltage 40V
平均整流电流IoAVerage Rectified Current 100mA/0.1A
最大正向压降VFForward Voltage(Vf) 560mV/0.56V
最大耗散功率PdPower dissipation 100MW/0.1W
Description & Applications TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type. High Speed Switching Application. Small package. Low forward voltage: VF (3) = 0.56 V (typ.). Low reverse current: IR = 5 μA (max).
描述与应用 东芝二极管硅外延肖特基类型。 高速开关应用。 小包装。 低正向电压VF(3)=0.56 V(典型值)。 低反向电流:IR= 5μA(最大值)。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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1SS417CT
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