| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
−45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
-3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
60MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
20 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−700mV/-0.7V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
1.35W |
| Description & Applications |
PNP medium power transistor FEATURES • High current (max. 3 A) • Low voltage (max. 45 V). APPLICATIONS • General purpose medium power applications. |
| 描述与应用 |
PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大3 A） •低电压（最大45 V）。 应用 •通用中等功率应用 |