| 逻辑类型Logic Type | 与非门 NAND Gate |
| 电路数Number of Circuits | 1 |
| 输入数Number of Inputs | 2 |
| 电源电压VccVoltage - Supply | 1.65V~5.5V |
| 静态电流IqCurrent - Quiescent (Max) | 200uA |
| 输出高，低电平电流Current - Output High, Low | -32mA，32mA |
| 低逻辑电平Logic Level - Low | 0.7V~0.8V |
| 高逻辑电平Logic Level - High | 1.7V~2V |
| 传播延迟时间@Vcc，CLMax Propagation Delay @ V, Max CL | 1.8ns @ 5V，50pF |
| Description & Applications | Single 2-input NAND gate；FEATURES Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V High noise immunity Complies with JEDEC standard: JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V) JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V) JESD8-B/JESD36 (2.7 V to 3.6 V) ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V) CMOS low power consumption Latch-up performance exceeds 250 mA Direct interface with TTL levels Inputs accept voltages up to 5 V Multiple package options ESD protection: HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C |
| 描述与应用 | 单路双输入与非门；特性 从1.65 V至5.5 V的宽电源电压范围 高抗干扰 符合JEDEC标准： JESD8-7（1.65 V至1.95 V） JESD8-5（2.3 V到2.7 V） JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V） ±24 mA输出驱动器（VCC=3.0 V） CMOS低功耗 闭锁性能超过250 mA 直接接口TTL水平 接受输入电压高达5 V 多种封装选项 ESD保护： HBM JESD22-A114F超过2000 V MM JESD22-A115-A超过200 V 从-40°C至+85°C和-40°C至+125°C |