集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
120V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~700 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）•高电压：VCEO=120V•高HFE：HFE=200〜700•优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值）•低噪音：NF=1分贝（典型值）•音频通用放大器应用 |
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