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  • 型号:HN4C51J
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:33
  • 封装:SOT-153/SMV
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 120V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 100MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 200~700
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.3W
描述与应用
Description & Applications
 特点•东芝晶体管的硅NPN外延式(PCT的进程)•高电压:VCEO=120V•高HFE:HFE=200〜700•优异的线性度:(IC=0.1毫安)/ HFE(IC=2毫安)=0.95(典型值)•低噪音:NF=1分贝(典型值)•音频通用放大器应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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HN4C51J
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