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  • 型号：MMDT5551
  • 厂家：DIODES
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K4N
  • 封装：sot-363
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		  180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		  160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		  0.2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  300MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		  30~250
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		  0.2V
耗散功率Pc
Power Dissipation		  0.2W
描述与应用
Description & Applications		  *双NPN型小信号表面山晶体管
　　*外延平面模施工
　　*补充PNP型可用(MMDT5401)
　　*适合中等功率放大和开关
　　*超薄表面安装包
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MMDT5551
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