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  • 型号:MMDT5551
  • 厂家:DIODES
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:K4N
  • 封装:sot-363
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集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 160V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 0.2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 300MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 30~250
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 0.2V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 0.2W
描述与应用
Description & Applications
 *双NPN型小信号表面山晶体管
  *外延平面模施工
  *补充PNP型可用(MMDT5401)
  *适合中等功率放大和开关
  *超薄表面安装包
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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MMDT5551
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