| 三极管类型 Transistor Type |
PNP |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3.0A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.19V |
| 场效应管类型 MOSFET TYPF |
P 沟道 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2.0A |
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
ID = −1.0 A, VGS = −4 V RDS=90~130mΩ
ID = −0.5 A, VGS = −2.5 V RDS=124~186mΩ
ID = −0.2 A, VGS = −1.8V RDS=180~320mΩ
|
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3~1.0V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
0.94W |
描述与应用
Description & Applications |
硅PNP晶体管外延式/硅P沟道MOS场效应晶体管类型
切换应用程序
Multi-chip分立器件:PNP型晶体管和P沟道MOS场效应晶体管
|