| 三极管类型 Transistor Type |
PNP |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-3.0A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.19V |
| 场效应管类型 MOSFET TYPF |
N 沟道 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±10V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
100MA/0.1A |
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
ID = 10 mA, VGS = 4.0 V RDS=1.5~3Ω
ID = 10 mA, VGS = 2.5 V RDS=2.2~4Ω
ID = 1 mA, VGS = 1.5 V RDS=5.2~15Ω
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开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.1V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
描述与应用
Description & Applications |
硅PNP型外延晶体管、场效应晶体管硅N通道MOS型
○Swtching应用程序
○负荷开关应用
○Multi-chip分立器件;内置PNP晶体管
主开关和N-ch MOS场效应晶体管驱动
高直流电流增益:hFE = 200 - 500(IC =-0.5A)
(PNP型晶体管)
低饱和:VCE(坐)=-0.19 V(max)
(PNP型晶体管)
高速开关:tf = 40 ns(typ。)(PNP型晶体管)
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