| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
10V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
5V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
40mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
12GHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
80~160 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率PcPower Dissipation |
175mW/0.175W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type. * VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications. * Low Noise Figure: NF = 1.6dB (Typ.) (@f = 2GHz) . * High Gain: |S21e|2 = 9dB (Typ.) (@f = 2 GHz). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延平面型。 * VHF??UHF波段低噪声放大器应用。 *低噪声系数：NF=1.6分贝（典型值）（@ F =2GHz的）。 *高增益：S21E| 2=9分贝（典型值）（@ F =2GHZ）。 |