| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
600v |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
370V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
2A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
50~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.0 |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type. High Voltage Switching Applications. Switching Regulator Applications. DC-DC Converter Applications. * High speed switching: tr = 0.5 μs (max), tf = 0.3 μs (max) (IC = 0.8 A). * High collector breakdown voltage: VCEO = 370 V. * High DC current gain: hFE = 60 (min) (IC = 0.2 A). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅NPN三重扩散类型。 高电压开关应用。 开关稳压器应用。 DC-DC转换器应用。 *高速开关：TR=0.5us（最大），TF=0.3us（最大）（IC= 0.8 A）。 *高集电极击穿电压：VCEO= 370 V。 *高直流电流增益：HFE=60（min）（IC= 0.2 A）。 |