集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-0.1A |
基极输入电阻R1
Input Resistance(R1) |
4.7KΩ |
基极-发射极输入电阻R2
Base-Emitter Resistance(R2) |
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电阻比(R1/R2)
Resistance Ratio |
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直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200 |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
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耗散功率Pc
Power dissipation |
0.25W |
描述与应用
Description & Applications |
PNP型resistor-equipped晶体管;
R1 = 4.7 kΩ,R2 =开放
内置的偏置电阻
简化电路设计
减少组件数量
减少选择和成本
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