集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
60MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
0.2W |
描述与应用
Description & Applications |
东芝硅PNP晶体管外延类型(PCT过程)
音频通用放大
*小包装(双类型)
*高电压、高电流
:VCEO =-50 v,IC =-150 ma(MAX)。
*高放大
*优秀的hFE线性
:hFE(IC =-0.1MA)/ hFE(IC =-2 ma)= 0.95(typ)。
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