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  • 型号：SSM3K7002BFU
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：NM
  • 封装：SOT-323/USM
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.3Ω ID=100 mA,VGS=4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage  1.5~3.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ) . * High-Speed Switching Applications . * Analog Switch Applications. * Small package . * Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) . : RDS(ON) = 2.6 Ω (max) (@VGS = 5 V) . : RDS(ON) = 2.1 Ω (max) (@VGS = 10 V) .
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。 *高速开关应用。 *模拟开关应用。 *小型封装。 *低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS=4.5 V）。    RDS（ON）=2.6Ω（最大值）（@ VGS= 5 V）。    RDS（ON）=2.1Ω​​（最大值）（@ VGS=10 V）。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SSM3K7002BFU
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