| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
1000~2000 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type. Switching Applications . Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications. Power Amplifier Applications. High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) . Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.5 V (max) (IC = 2 A) . Complementary to 2SB907. |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。 切换应用程序。 锤驱动器，脉冲电机驱动应用。 功率放大器应用。 高直流电流增益：HFE=2000（分钟）（VCE= 2 V，IC= 1 A）。 低饱和电压VCE（sat）=1.5 V（最大值）（IC= 2）。 2SB907互补。 |