| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
−50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
−100mA/-0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
125~250 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
-250mV/-0.25V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
PNP Silicon AF Transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 |
PNP硅晶体管自动对焦 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。 |