| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
500MA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
170MHZ |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
250~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.7V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
250MW/0.25W |
| Description & Applications |
* NPN Silicon AF Transistors. * For general AF applications. * High collector current. * High current gain. * Low collector-emitter saturation voltage. |
| 描述与应用 |
* NPN硅晶体管自动对焦。 * 对于一般AF应用。 * 高集电极电流。 * 高电流增益。 * 低集电极 - 发射极饱和电压。 |