| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
-20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
-1.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
125~500 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
0.14V/140mV |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type . High-Speed Switching Applications. DC-DC Converter Applications. Strobe Applications . * High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.15 A) . * Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.14 V (max) . * High-speed switching: tf = 37 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
东芝晶体管的硅PNP外延型。 高速开关应用。 DC-DC转换器应用。 频闪应用。 *高直流电流增益：HFE=200??500（IC= -0.15）。 *低集电极 - 发射极饱和电压VCE（星期六）=-0.14 V（最大值）。 *高速开关：TF=37 ns（典型值）。 |