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  • 型号:TPC6107
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:1
  • 标记/丝印/代码/打字:S3G
  • 封装:SOT-163/SOT23-6/VS-6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流IdDrain Current -4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 55mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -2.2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage -0.5~-1.2V
耗散功率PdPower Dissipation 2.2W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Small footprint due to small and thin package • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 40 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 9.6 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = −10 μA (max) (VDS = −20 V) • Enhancement model: Vth = −0.5 to −1.2 V (VDS = −10 V, ID = −200 μA)
描述与应用 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型(U-MOSIV) 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 •由于占地面积小,小而薄的包装 •低漏源导通电阻RDS(ON)= 40mΩ(典型值) •高正向转移导纳:| YFS|= 9.6 S(典型值) •低漏电流:IDSS= -10μA(最大)(VDS=-20 V) •增强模式:Vth =-0.5〜-1.2 V (VDS= -10 V,ID= -200μA)
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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TPC6107
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