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  • 型号：CES2324
  • 厂家：CET
  • 批号：08+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：1
  • 标记/丝印/代码/打字：248R
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  12V
最大漏极电流Id
Drain Current		  4.2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State		  RDS(ON)= 45mΩ @VGS = 4.5V.
 RDS(ON)= 80mΩ @VGS = 2.5V.
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  0.5V~1.5V
耗散功率Pd
Power dissipation		  1.25W
描述与应用
Description & Applications		  n沟道增强型场效应晶体管
　　高致密细胞设计极低的RDS(上)。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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CES2324
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