最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
305MA |
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 5.0V, ID = 50mA 2Ω |
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
VDS = VGS, ID = 250uA 1.2v |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
200MW |
描述与应用
Description & Applications |
双N沟道MOSFET的低导通电阻极低的栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出泄漏超小型表面贴装封装铅的设计免费/ RoHS规定（注2）ESD保护可达2kV的“绿色”设备（注4）符合AEC-Q101标准的高可靠性 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读 |