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  • 型号：DMN5L06DWK-7
  • 厂家：DIODES
  • 批号：12+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：1
  • 标记/丝印/代码/打字：DABZ4
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  50V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  20V
最大漏极电流Id
Drain Current		  305MA
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance		  VGS = 5.0V, ID = 50mA 2Ω
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  VDS = VGS, ID = 250uA 1.2v
耗散功率Pd
Power Dissipation		  200MW
描述与应用
Description & Applications		  双N沟道MOSFET的低导通电阻极低的栅极阈值电压低输入电容开关速度快低输入/输出泄漏超小型表面贴装封装铅的设计免费/ RoHS规定（注2）ESD保护可达2kV的“绿色”设备（注4）符合AEC-Q101标准的高可靠性
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
DMN5L06DWK-7
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