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  • 型号：DMN66D0LDW-7
  • 厂家：DIODES
  • 批号：12+ROHS 12+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：1
  • 标记/丝印/代码/打字：MN1ZN
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		  20V
最大漏极电流Id
Drain Current		  115MA
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance		  VGS = 5.0V, ID = 0.115A 6Ω
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		  2V
耗散功率Pd
Power Dissipation		  250MW
描述与应用
Description & Applications		   •双N沟道MOSFET •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •小型表面贴装封装 •ESD保护门，1KV（HBM） •无铅/符合RoHS标准（注2） •符合AEC-Q101标准的高可靠性
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
DMN66D0LDW-7
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