请先登录
首页
购物车0
库存18000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2N7002-7
  • 厂家：DIODES
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K72
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.2Ω/Ohm @50mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Low On-Resistance: RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free/RoHS Compliant Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
描述与应用 N沟道增强型场效应晶体管 特性 N沟道增强型场效应晶体管 低导通电阻RDS（ON） 低栅极阈值电压 低输入电容 开关速度快 低输入/输出漏 无铅/ RoHS标准 合格的AEC-Q101高可靠性标准
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2N7002-7
*主题：
详细内容：
*验证码：