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商品参数:

  • 型号:2SA1213-O
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+ 08+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:NO
  • 封装:SOT-89/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)−50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−50V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)120MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)70~140
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage−500mV/-0.5V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon PNP Epitaxial Type Power Amplifier Applications Power Switching Applications • Low saturation voltage: VCE (sat) = −0.5 V (max) (IC = −1 A) • High speed switching time: tstg = 1.0 μs (typ.) • Small flat package • PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) • Complementary to 2SC2873
描述与应用硅PNP外延型 功率放大器应用 电源开关应用 •低饱和电压VCE(sat)=-0.5 V(最大值)(IC=-1 A) •高速开关时间:TSTG=1.0微秒(典型值) •小型扁平封装 •PC=1.0〜2.0 W(安装在陶瓷基板上) •互补2SC2873
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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