| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
−40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−32V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
82~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−600mV/-0.6V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Medium Power Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC4097 |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管 特点 1）大输出电流。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（sat）的。 为低电压操作的理想选择。 3）补充2SC4097 |