| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −100V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Silicon PNP Epitaxial Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High breakdown voltage and large current capacity. · Fast switching time. · Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid ICs. |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型的 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·高击穿电压和大电流的能力。 ·快速开关时间。 ·体积非常小，因此很容易提供高密度，小尺寸的混合集成电路。 |