| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 400MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -260mV/-0.26V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 2W |
| Description & Applications | High speed switching PNP silicon epitaxial transistor power mini mold high speed ，high voltage switching； low collector saturation voltage； complementary to 2SC3736 |
| 描述与应用 | 高速开关 PNP硅外延晶体管 电源小型模具 高速，高电压开关; 集电极饱和电压低; 2SC3736互补 |