集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-120V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-50MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
140MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~820 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
耗散功率Pc
Power Dissipation |
300MW/0.3W |
描述与应用
Description & Applications |
特点•通用（双晶体管）•两个的2SA1514K芯片在AMT包。•高击穿电压 |
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