| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -180V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | -160V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 140~280 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -80mV |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | PNP/NPN epitaxial planar silicon transistors High-voltage switching application applications： converters，inverters，color TV audio output Features adoption of FBET,MBET processes； high voltage and large current capacity； fast switching time |
| 描述与应用 | PNP/ NPN外延平面硅晶体管 应用： 变频器，逆变器，彩电音频输出 特点 采纳FBET，MBET的进程; 高电压和大电流的能力; 快速开关时间 |