| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | −30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −10A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 180MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~600 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING FEATURES • Large current capacity: IC(DC): −10 A, IC(pulse): −15 A • High hFE and low collector saturation voltage: hFE = 200 MIN. (@VCE = −2.0 V, IC = −0.5 A) VCE(sat) ≤ −0.25 V (@IC = −4.0 A, IB = −0.05 A) |
| 描述与应用 | PNP硅外延晶体管高速开关 特点 •大电流容量： IC（DC）：-10，IC（脉冲）：-15Â •高HFE和低集电极饱和电压： HFE= 200分钟。 （@ VCE= -2.0 V，IC=-0.5 A） VCE（sat）≤-0.25 V（@ IC= -4.0 A，IB=-0.05Å） |