| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −150mA/-0.15A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 700MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | PNP/NPN Epitaxial planar silicon transistors High-speed switching applications fast switching speed； high gain bandwidth product； low saturation voltage |
| 描述与应用 | PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高速开关应用 开关速度快; 高增益带宽积; 低饱和电压 |