| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −300mA/-0.3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 1.5GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 15~100 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -400mV/-0.4V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Features · High fT (fT=1.5GHz typ). · High current (IC=300mA). · Adoption of FBET process. |
| 描述与应用 | 特点 ·高英尺（FT =1.5GHz的典型值）。 ·高电流（IC=300毫安）。 ·采用的FBET过程。 |