| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −25V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −300mA/-0.3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 500~1200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -120mV/-0.12V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.3W |
| Description & Applications | High HFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · High DC current gain (hFE=500 to 1200). · Large current capacity. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High VEBO |
| 描述与应用 | HFE高，低频率通用放大器应用 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·高DC电流增益（电流增益（hFE）=500〜1200）。 ·大电流容量。 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·高VEBO |