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商品参数:

  • 型号:2SB1189-R
  • 厂家:ROHM
  • 批号:05+1r04nopb 05+rohs
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:BDR
  • 封装:SOT-89/SC-62/MPT
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-80V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−80V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)120~390
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage-400mV/-0.4V
耗散功率PcPoWer Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Medium power Transistor Features 1) High breakdown voltage 2) Complements the 2SD1767
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 中等功率晶体管 特点 1)高的击穿电压 2)补充2SD1767
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SB1189-R
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