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商品参数:

  • 型号:2SB806
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+ 05+nopb200
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:KP
  • 封装:SOT-89/SC-62
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) -120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) -120V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) -700mA/-0.7A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 75MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 200~400
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage -400mV/-0.4V
耗散功率PcPoWer Dissipation 2W
Description & Applications PNP silicon epitaxial transistor power mini mold high collector to emitter complementary to 2SD1006 and 2SD1007
描述与应用 PNP硅外延晶体管电源小型模具 高集电极到发射极电压; 互补2SD1006 2SD1007
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SB806
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