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商品参数:

  • 型号:2SC3115
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:D26
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 160V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 80mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 60~120
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 700mV/0.7V
耗散功率PcPower Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications NPN Silicon epitaxial Transistors High-voltage switching, AF power Amp,100w output predriver applications Features Small-sized package permitting the 2SC3361-applied sets to be made small and slim. High breakdown voltage Small output capacitance Complementary to 2SA1257
描述与应用 NPN硅外延晶体管 高压开关,自动对焦放大器,100W输出功率前置驱动器应用 特点 小型包装允许2SC3361应用设置小型和超薄。 高击穿电压 小的输出电容 互补型2SA1257
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SC3115
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