| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 30mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 5.5GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 120mW/0.12W |
| Description & Applications | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR High fT : 5.5 GHz Low Cob : 0.7 pF Super Mini Mold Package |
| 描述与应用 | NPN硅外延晶体管 高FT：5.5 GHz 低的COB：0.7 pF 超级迷你模具封装 |