| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 30mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 6.5Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 60~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | Features •NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor •UHF Converter, Local Oscillator Applications •High cutoff frequency : fT=6.5GHz typ. •High gain : S21e2=11.5dB typ (f=1GHz). •Small Cob : NF=0.65pF typ |
| 描述与应用 | 特点 •NPN平面外延硅晶体管 •UHF转换器，本地振荡器应用 •高截止频率：：FT =6.5GHZ典型。 •高增益：S21E2=11.5分贝典型值（F =1GHz的）。 •小科夫：NF=0.65pF（典型值） |