| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
16V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
8V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
9Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
90~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率PcPower Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Features •NPN Epitaxial planar silicon transistor •Low noise : NF=1.2dB typ (f=1GHz). •High gain : S21e2=15dB typ (f=1GHz). •High cutoff frequency : fT=9.0GHz typ. |
| 描述与应用 |
特点 •NPN外延平面硅晶体管 •低噪音：NF=1.2分贝典型值（F =1GHz的）。 •高增益：S21E2=15分贝典型值（F =1GHz的）。 •高截止频率：：FT =9.0GHZ典型。 |