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商品参数:

  • 型号:H2N7002XIT1
  • 厂家:HI-SINCERITY
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:025Y
  • 封装:SOT-23/SC-59
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage2.5v
最大漏极电流Id Drain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2.8Ω/Ohm 50mA,5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.375V
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & ApplicationsN-Channel MOSFET (60V, 0.2A)
描述与应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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H2N7002XIT1
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