| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 9V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 6V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 10mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 12Ghz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 75~150 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 60mW |
| Description & Applications | Features • SILICON TRANSISTOR • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD • Low Voltage Use. • High fT : 12.0 GHz TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz) • Low Cre : 0.3 pF TYP. (@ VCE = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz) • Low NF : 2.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz) • High |S21e|2: 8.5 dB TYP. (@ VCE = 3 V, IC =5 mA, f = 2 GHz) • Ultra Super Mini Mold Package. |
| 描述与应用 | 特点 •硅晶体管 •NPN硅外延型晶体管3针超超迷你模具•低电压使用。 •高FT：12.0 GHz的TYP。 （@ VCE= 3 V，IC=5 mA时，F= 2千兆赫） •低CRE：0.3 PF TYP。 （@ VCE=3 V，IE= 0时，F =1兆赫） •低噪声系数：2.5 dB典型值。 （IC= 3毫安，@ VCE= 3 V，F =2吉赫） •高| S21E|2：TYP8.5分贝。 （@ VCE= 3 V，IC=5 mA时，F= 2千兆赫） •超超级迷你模具包装。 |