| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 135~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 100mV/0.1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 3W |
| Description & Applications | NPN EPITAXIAL SILICON planar TRANSISTOR DC/DC Converter Applications Features · Adoption of FBET, MBIT processes. · Large current capacitance. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. |
| 描述与应用 | NPN外延硅平面晶体管 DC/ DC转换器应用 特点 ·采用FBET，MBIT过程。 ·大电流容量。 ·低集电极 - 发射极饱和电压。 ·高速开关。 ·超小包装便于在终端的小型化 产品。 |