| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Power transistor Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 30ns at IC = 3A) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. : 200mV at IC = 2A, IB = 0.2mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. !Applications Low frequency amplifier High speed switching Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor |
| 描述与应用 | 功率晶体管 特点 1）高速开关。 （TF：典型：30ns的IC=3A） 2）低饱和电压，通常 （典型值200mV的IC=2A，IB =0.2毫安） 3）感性负载和放电功率强 电容负载。 应用！ 低频放大器 高速开关 结构 NPN硅外延平面型晶体管 |