| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率PcPower Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Power Transistor (15V, 0.5A) Features * Low VCE(sat). (Typ.8mV at IC/IB = 10/1mA) * Optimal for muting. |
| 描述与应用 |
功率晶体管（15V，0.5A） 特点 *低VCE（SAT）。 （IC / IB=10/1mA Typ.8mV） *最优静音。 |