| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 82~180 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Features * High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(sat). Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。 ？结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |